厌倦了总是坐在NAND闪存的靠边位置，台湾地区内存制造商继续向这一欣欣向荣的业务领域大举进攻。
台湾地区DRAM制造商南亚、 Powerchip和ProMos数年来发表了各式各样的关于杀入NAND市场的隆重声明，但没有展现任何战绩。很明显，这些DRAM供应商入市时机已晚，主要是因为它们缺乏必要的专利和技术。
因此，台湾地区看起来正朝向更安全的闪存代工策略，这样，供应商可以为其它公司制造部件。目前至少有两家雄心勃勃的台湾地区企业期望在NAND市场留下自己的印记。
Powerchip Semiconductor公司今年早些时候被授权售卖一种NAND部件产品系列AG-AND，基于日本瑞萨科技的技术。瑞萨早前声称将退出NAND市场。但更大的进展来自DRAM专业公司ProMos Technologies Inc.，该公司宣称已“试生产”据称是台湾地区首款专有的NAND闪存部件。ProMos自主设计的1Gb NAND部件基于130nm工艺，由该公司的200mm厂生产。
该技术角逐起竞争来还远远不够，但ProMos计划加快研发成效快步追上。 Gartner公司分析师Ben Lee表示：“在2007年上半年之前ProMos没有量产130nm NAND闪存芯片的计划。为响应市场需求，ProMos将在其300纳米生产厂内推出大于16Gb存储芯片的亚60nm制造。”
台湾地区厂商能否与Hynix、IM Flash、三星、东芝及其它NAND厂商相抗衡，目前还不清楚。然而分析师表示，如同DRAM一样，台湾地区有望成为NAND的利基玩家。或者，机会主义的台湾地区供应商可能会猜测当前会出现可怕的NAND降价风波而延迟进入。
