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飞思卡尔推出突破性的超宽带射频功率氮化镓晶体管
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飞思卡尔半导体[NYSE:FSL],射频(RF)功率晶体管的全球领导者,今天宣布推出新的先进的塑料封装两种超低宽带射频功率氮化镓(GaN)晶体管。有

飞思卡尔推出突破性的超宽带射频功率氮化镓晶体管

飞思卡尔半导体[NYSE:FSL],射频(RF)功率晶体管的全球领导者,今天宣布推出新的先进的塑料封装两种超低宽带射频功率氮化镓(GaN)晶体管。有了这些新的软件包和产品,飞思卡尔已经取得了重大进步为己任,以释放氮化镓性能的真正潜力,并为客户提供性能最佳的GaN器件的产业。

“这两款产品的业界领先的带宽将使我们的客户能够使用单个RF阵容更换两个甚至三个独立的射频功率放大器的,大大降低了系统成本,”保罗·哈特,飞思卡尔RF业务的高级副总裁兼总经理。 “此外,该器件的超低热阻将使客户能够减少冷却系统的成本,或在全CW-额定功率运行,以高得多的情况下。”

新的OM-270封装,双铅和八引脚配置提供,扩展了飞思卡尔的专利OMNI™射频塑料包装技术,以最小的轮廓还没有,并增加了与GaN的兼容性。

“我们创新的能力,metalurgically我们结合上GaN芯片的SiC铜法兰和过霉菌他们启用了前所未有的热性能,”马里Mahalingam,飞思卡尔研究员和RF包开发负责人说。 “此外,这个新的封装平台支持复杂的内部匹配方案,使卓越的宽带性能。”

飞思卡尔的前两个塑料RF功率氮化镓晶体管借此先进封装技术的优势,提供了新的性能水平:

MMRF5015N:一个100W,50V,真正的CW超宽带的GaN非常适用于高功率军用和民用通信系统晶体管。30% improvement over competitive products.">该MMRF5015N拥有小于0.8°C / W,这代表改进竞争力的产品“30%的热阻。现在MMRF5015N样片在评价夹具这表明了前所未有的200-2500 MHz带宽用最少的12分贝增益和40%的效率在整个频带。

MMRF5011N:一个10W,28V,真正的CW超宽带晶体管,显示出200-2600 MHz带宽的可用应用电路。非常适合于低功耗军用和民用手持无线电通信设备,该MMRF5011目前正在取样。

飞思卡尔展示和展台#3031展示这些晶体管在2015年国际微波研讨会(IMS)。
标签:飞思卡尔,超宽带射频功率氮化镓晶体管
来源:中电网 作者: 时间:2015/5/19 15:00:55
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