意法半导体首次公布了一项关于在薄膜无源器件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术的细节，这项新技术大幅度扩展了ST世界领先的IPADTM（集成无源及有源器件技术）的功能，允许集成电容密度高于30nF/mm2的电容器，比现有的采用硅或钽的氧化物或氮化物的竞争技术提高电容密度50倍。

       这项技术是以一类被称作“PZT Perovskites”的物质为基础，该类物质是一种化合物，主要元素是铅、锆、钛及氧，根据锆和钛的比例，物质可发生多种变化。这种物质的优点十分突出，它的介电常数高达900，具体参数视特定的物质而定，这个数值是二氧化硅的200倍。同样重要的是，这种物质在经过验证的IPAD量产制造流程中的集成费用很低。

       无源器件集成技术非常重要，特别是在移动通信应用中，设备需要集成复杂的滤波和保护功能，这些功能通常需要大量的无源器件，如电阻器、电容器、电感器等，而移动设备的电路板空间又十分有限。以手机为例，一台手机需要几百个无源器件，其中一半以上是电容器。ST的IPAD技术允许将大量的无源组件与有源器件集成在一起，例如，在一个执行特定的滤波或保护功能的单一结构内集成ESD保护二极管。

       在这类集成技术中，发现可以集成更高的电容或电阻的新型材料是一个连续不断的挑战。在电容问题上，因为电容取决于表面积和介电常数，而人们总是期望表面积变得更小，所以物质的介电常数是最重要的因素。去耦合和低频过滤通常需要电容更高的电容器，ST新的PZT技术则代表了在集成更高电容器技术上的一项巨大的突破。

       这项技术将系统划分优化提高到了一个新的水平，将会在尺寸、性能、成本和上市时间方面给客户带来巨大的好处，一个IPAD裸片可以取代30多个分立器件，而且兼容倒装片封装或IC的SiP组装。