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IBM 193纳米光刻技术突破 实现29.9纳米线宽
内容导读:

据报道,IBM公司旗下研究公司成功地研究出了一种方法,可以用现有的光刻设备实现29.9纳米的线宽,远比如今的芯片要小。这项技术进步有助于在未来芯片生产中降低成本。

这项技术突破是基于浸入式光刻技术的。与现有的浸入式光刻不同的是,IBM的研究人员采用JSR Micro公司生产的一种特殊液体而不是纯水作为浸入式光刻技术的浸液。此外,光刻胶也换成了新型的材料。

IBM公司坚信浸入式光刻技术与193纳米系统肯定可以用于32纳米制程的芯片生产中。如此可降低更换新设备所需的成本。

而对于EUV的使用,IBM认为那可能是22纳米或更低工艺中用到的技术。

相关链接(英文):
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml;jsessionid=KSIC33XIRAC4YQSNDBOCKICCJUMEKJVN?articleID=180204799

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来源:SEMI 作者: 时间:2006/8/1 0:00:00
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