集成设备技术公司（IDT®）（NASDAQ：IDTI）今天宣布，其与高效的电力转换公司（EPC）合作，基于氮化镓技术开发氮化镓（GaN）的半导体材料广泛公认的速度和效率。在他们的合作，两家公司将探讨将EPC的eGaN®技术与领先的IDT解决方案。

“GaN基电源管理技术的EPC的领导使他们的不二之选到团队，我期待着探索如何GaN基产品，其所有的固有优势，可以在不那么遥远的将来推向市场“。
“氮化镓提供了令人兴奋的机会来开发更高性能，差异化的产品，为我们的客户，”Sailesh Chittipeddi，副总裁，全球运营和首席技术官IDT说。 “GaN基电源管理技术的EPC的领导使他们的不二之选到团队，我期待着探索如何GaN基产品，其所有的固有优势，可以在不那么遥远的将来推向市场“。

这三个领域中，两家公司正在合作：

•通信和计算基础设施型GaN的低电容和零QRR加之其芯片级封装结果高效率在高频率的低电感。这一增长的效率与IDT的精确减刑和系统的专业知识相结合，哄抬功率密度，并提供显著的竞争优势，以通信和计算基础设施。

•无线供电 - 联盟无线电源（A4WP）联合体协议在6.78兆赫，在氮化镓的高速，低损耗的开关驱动器的能力，以高效的解决方案有线的水平的高度共振无线功率传输标准。结合IDT的EPC和精密解决方案的专业氮化镓将提供一个高效，具有成本竞争力的解决方案，将推动广泛采用无线供电的。

•无线电频率（RF） - 这两家公司将合作探索创造RF产品的通信基础设施市场的投资组合。
“越来越多的创新型公司，如IDT的，正在整合成熟的GaN技术到他们的解决方案，以此来超越硅的局限性，”亚历克斯Lidow，CEO和EPC的联合创始人说。 “我们的团队期待IDT一起工作的工程师带来了EPC的氮化镓技术的出色的速度和效率，IDT客户。”