台系DRAM厂为提高核心竞争力，应对日益严峻的技术发展挑战，最近相继建立研发中心，研究新型器件结构和制程技术。

茂德中心主要任务包含(1)开发90奈米以下堆叠式动态随机存取存储器制程技术;(2)延续现有沟渠式存储器开发技术，开发100奈米以下沟渠式动态随机存取存储器制程技术;(3)开发0.12微米NOR型快闪存储器技术。并与海力士半导体合作，研发70纳米及以下制程技术。

力晶在2006年将一举增加研发费用达新台币34亿元左右，成长率将达100％，且将于新竹原力捷厂地，兴建力晶研发中心大楼。估计这座研发中心所需要人力资源约300人，未来估计将会进一步扩张至1,500～2,000人上下。该研发中心将主要面向两方面研究：（1）8GB以上高密度NAND闪存;（2）与尔必达共同开发70纳米以下制程技术。