据EE Times网站报道，德国Vistec半导体公司声称，电子束光刻（E-beam lithography）与传统的光学光刻两种技术不应互相排斥，而可以很好的结合，以节省制造时间和成本。

电子束光刻近年来由于纳米压印技术和MEMS技术的兴起而颇受关注，其优点是衍射效应小，可以容易达到32纳米以下的光刻分辨率。然而由于其光刻方法是使用电子束逐行扫描的方式，导致其产率很低，写一个芯片往往需要数分钟的时间，而完成整个硅片的光刻则需要数小时的时间。因此目前电子束光刻被限制在研发以及小批量射频与微波器件制作等领域。

Vistec认为可以采用传统光刻与电子束光刻相结合的方式来充分发挥双方的长处。利用电子束来定义少量关键的线条，利用传统光刻来进行大批量生产。

这种方法同时还可以节省掩模版成本，同时可以为批量生产的每个器件加入个性化编码例如序列号及使用密码等。

相关链接（英文）：
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml;jsessionid=UBT2ZNMXC0FCGQSNDBCSKHSCJUMEKJVN?articleID=184429318