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英特尔推出首枚65纳米多层NOR闪存
内容导读:

据EE Times网站消息,英特尔公司4月4日宣布已制造出世界上首枚基于65纳米工艺的多层(multi-level cell, MLC)NOR型闪存芯片。

该芯片单片容量为1G,将用于手机中管理关键电话操作以及存储照片、音乐以及视频。预计该产品将在本季度末拿到消费者手中。

在此之前英特尔已开展基于65纳米技术的芯片生产。其65纳米处理器问世于去年下半年。

相关链接(英文):
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml;jsessionid=F3D5RIV3FFJ3CQSNDBECKICCJUMEKJVN?articleID=184426129

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来源:SEMI 作者: 时间:2006/8/1 0:00:00
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