据Digitimes网站报道，英特尔表示，将加快在2006年底正式导入50纳米投产NAND型Flash，且容量也会快速拉高，此外，为进一步使电脑使用效能快速提升，英特尔所推出的全新技术ROBSON，也预期在2007年初期正式推出。

英特尔在与美光共同成立IM以来，在NAND Flash市场上一直面临三星、海力士及日本东芝的强烈竞争。三星等国际NAND型Flash大厂目前均已采用90纳米量产NAND型Flash，且已将产品容量推至16Gb甚至32Gb，然回顾英特尔目前推 出的最高容量仅限于8Gb，对此，英特尔表示，目前投产工艺技术已到90纳米，且预期到2006年底前，将会正式采用50纳米投产NAND型Flash， 而这样的工艺技术事实上将足以让英特尔与三星、海力士、东芝等大厂一较高下。

此外，英特尔仍将继续发扬其在NOR型Flash方面的实力，走NOR与NAND并重的战略。而结合硬盘与Flash的 Robson科技，目前已将Flash封装进入模块中，预期到2007年初将可大量推出。