Quantum III高电流离子注入系统具有优异的低能量离子注入功能和很高的生产效率。该批处理式离子注入机应用于90nm低能量离子注入时生产速度可以突破50wph。大多数应用中的离子束电流可以提高15~20%，扫描时间显著缩短，生产效率提高了20~50%。至于工艺控制，高分辨率能量监测系统可以通过反馈系统将离子注入能量精确控制在±3.5 V范围内，使用户可以将离子注入深度控制在1A以内。该系统的原位颗粒检测器可以及时检测到颗粒异常状况，减小晶片离子注入时的风险，最终取消测试晶片、提高设备正常工作时间（uptime）和可靠性。该系统的大多数新功能可用于原有Quantum系统的更新和改造。
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来源:半导体国际 作者: 时间:2004/4/20 0:00:00
