据报道，随着英特尔公司和意法半导体(ST)公司将公布一项联合开发90nm技术的计划，一种将闪存与RAM的优点结合在一起的新的存储技术即将到来。

英特尔和ST两家公司将在VLSI(超大规模集成电路)技术研讨会上宣读的一篇论文中阐述了一项众所周知的所谓PCM(相变存储器)的技术。PCM将标准硅芯片技术和可重写光盘材料集于一体，使它既具有闪存超长的数据保存时间，又拥有标准DRAM高存取速度的特点。这篇论文的摘要部分将PCM的主要特性归结为尺寸小、可靠性强、性能良。并阐述了其令人满意的测试结果。 

英特尔和ST公司还将在PCM的标准化方面进行合作，它在初期的目标市场将是手机和其它便携式产品。据ST公司称，容量达数GB的PCM将采用0.045或0.032微米工艺、预计将在2007年之后生产样品，2008年后进行大量生产。此前，ST公司曾表示将在2005年生产出PCM样品;英特尔公司也曾表示，PCM产品可能会采用0.022微米工艺，这将意味着它的大量生产将在2010年之后。

NOR闪存正面临多种新兴闪存技术的挑战，除NAND闪存外，相变内存正在苦苦追赶。

包括IBM公司、三星公司、NEC和BAE公司等厂商在内的其它许多公司也在努力开发PCM产品。