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中芯国际北京12吋厂生产的90奈米512兆 DDR2 SDRAM 成功通过尔必达认证
内容导读:

中芯国际集成电路制造有限公司世界领先的集成电路芯片代工厂之一,与高端动态随机存取内存 (DRAM) 专业制造商尔必达日前共同宣布,尔必达采用中芯国际90纳米制程技术并在中芯北京300毫米厂房生产的512兆 DDR2(双倍速率 SDRAM),已经成功通过认证。

“我们很高兴我们的产品采用中芯90纳米制程技术并在中芯国际300毫米厂房生产,已经通过了认证”,尔必达总裁兼首席执行官坂本幸雄表示,“这将大力提升尔必达90纳米制程产品的产能。这次成功的认证后,我们也会积极讨论引进更高端制程产品在中芯的300毫米工厂生产。”

“尔必达90纳米制程产品成功通过认证,我们觉得十分荣幸和自豪。”中芯国际总裁兼首席执行官张汝京博士表示。“中芯将采取积极措施来保证产品的量产,并提升我们的产能来满足客户的需求。中芯国际将继续加强我们的技术能力,期待进一步为尔必达的更高端制程产品提供服务。”

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来源:电子与封装 作者: 时间:2006/6/19 0:00:00
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