VIISta Roplat是为高倾斜角度离子注入设计的，可用作高度精确控制硅片位置的片座。Roplat在X、Y轴方向均可倾斜±60°，为环圈式（halo）、SD、SDE和象限式（quad）离子注入提供便利。通过倾斜器的简单转动而使晶片重新移动和重新定位的方法，即使quad离子注入，其产能也能维持在300wph以上。单晶片静电晶座的倾斜角度变动可以控制在±0.2°以内，使高电流、中电流和高能量离子注入的入射角度变动降到最低水平。 Varian Semiconductor Equipment Associates, www.vsea.com Booth 6159
为高度凹凸不平表面设计的光刻系统
该光刻技术适用于高度凹凸不平的表面，它包含喷雾式光刻胶涂布系统（spray coating，专利在申请中）、全方位曝光掩模版对准系统和大曝光间隙光学系统。通过这些系统可以在严重凹凸不平的表面上得到最佳图形转移能力。新的喷雾式涂布系统采用新颖的光刻胶涂布方式，使光刻胶在平坦和凹凸表面上形成分布均匀的涂层;结合专为大聚焦深度优化的对准系统，该技术可以在凹凸变化达几百微米的平面上部、底部和斜面结构上得到精准的图形。 SUSS MicroTec, www.suss.com. Booth 7163
步进型光刻机
NSR－SF200是世界上第一台KrF Excimer Laser宽曝光范围步进型光刻机，可在90nm以下工艺制程的300mm硅圆片量产线上与ArF光刻机实现Mix&Match的高性价比。而且在26×33mm的宽曝光领域中实现了150nm以下的高解像度，发挥了新一代DRAM和MPU的中间层光刻威力。另外，最新的i线宽曝光范围步进型光刻机“NSR－SF130”在新一代的DRAM和MPU的非细线宽层曝光上发挥了威力，与DUV Excimer光刻机实现Mix&Match最优，在300mm硅圆片上达到同行业中最高水平的每小时120片的处理速度。
Nikon Precision www.nikon.co.jp/pec Nikon.NSR.China@nikon.co.jp Booth 6459
薄膜蚀刻和沉积
Shuttleline结合了四套系统的技术，适用于R&D和试产阶段。它是为薄膜蚀刻和电介质沉积包括ICP、RIE和PECVD开发的多工艺操作平台，适用于一系列应用包括LED、HBT、HEMT、SAW、光电器件和MEMS。其工艺反应器装备了标准的真空锁（loadlock）和界面友好的操作软件。
Unaxis Semiconductors, www.unaxis.com. Booth 6409
光刻胶涂布与显影系统
CLEAN TRACK LITHIUSTM依托CLEAN TRACK ACT的平台的技术优势，以制造出稳定的７０ nm技术的制品为目标。总体检查和线宽（CD）测定技能装载在从本装置的制程处理部件独立出来的测定器装载件（MIB）内。
CLEAN TRACK LITHIUSTM的CD测定，运用了ODP(Optical Digital Profilometry)技术予以解决。这一技术是针对反射光光谱的变化，实现划时代的高速演算，计算出CD值。将ODP技术与分光反射计相结合，作为模块装载在CLEAN TRACK ACT和CLEAN TRACK LITHIUS内。
这一模块组装后，可对CD进行实时监控，一旦发生制程异常不仅可迅速应对，而且可实现制程的高度控制。另外，这一系统可减少非生产晶片数，在光刻工序结束后无须将晶片传送到非线上的测定机作测定。从而缩短了光刻系统全体TAT（Turn Around Time），提高了生产效率。
Tokyo Electron www.tel.co.jp Booth 6553
单晶圆表面清洗设备 单晶圆表面预旋转清洗设备Da Vinci（达芬奇）系列，代表了业界第一个高产能的湿式旋转处理解决方案。Da Vinci系列产品包括一些最初的产品、300毫米DV-38F以及新近推出的DV-28F、DV-34BF 和DV-24BF，它们用于后段工艺过程（BEOL）聚合物的清洗，背面蚀刻和清洗以及新兴应用的处理，如用于90纳米以及以下技术标准200毫米和300毫米晶圆制造的高k（介电率）、金属门极、铁电存储（FRAM）和磁随机存储（MRAM）等技术。Da Vinci?系列的主要优势包括：最大的产出量，最小的空间占用，减少的介质损耗，灵活的化学应用等。
SEZ GROUP www.sez.com Booth 7411
外延反应炉
LPE PE3061外延反应炉适合小批量、高灵活性和多种工艺，如新一代分立器件技术、IGBT、PowerMos 及薄层、掩埋层，它使用低频IGBT功率发生器加热，可以节省电力;外延片质量接近于单片炉产品;成本(COO)接近于高产能外延炉，是业界唯一可淀积外延膜厚达200微米以上的外延反应炉。
LPE China www.lpe-epi.com Booth 6308
臭氧化去离子水生成系统
LIQUOZON是IC制造和薄膜工艺中为晶片和衬底清洗提供超纯净臭氧化去离子水（DIO3）的整合系统。当去离子水（DI）的流速为50L/min时，溶解的臭氧（O3）浓度最高可达65ppm。该系统清洁、安全，是传统化学清洗的替代技术，大大减少了有毒废弃副产物的产生。作为第二代系统，LIQUOZON不仅减小了占地面积，而且降低了化学品和去离子水的消耗量，安装也更加容易，成本更低。臭氧化去离子水可以在用户端通过臭氧浓度快速反馈系统进行控制。该系统几乎不需要任何维护，MTBF大于20，000小时。未溶解的臭氧在进入废气排放系统前会重新转变为氧气。该系统的设计还避免了NOX的产生，减少了对金属管道的污染和损害。
MKS Instruments Inc., www.mksinst.com Booth 7534
来源:半导体国际 作者: 时间:2004/3/15 0:00:00
