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MEMS器件有望实现与CMOS芯片集成
内容导读:

据EE Times网站报道,美国能源部阿尔贡国家实验室的附属公司Advanced Diamond Technologies Inc.(ADT)近期表示,公司将与MEMS开拓者Innovative Micro Technology及威斯康星大学合作,将在明年为DARPA供应RF MEMS振荡器和谐振器。

MEMS器件将通过阿尔贡国家实验室授权ADT的超纳米薄膜技术实现与CMOS芯片的集成。在已完成的CMOS芯片上特定区域实现MEMS电路部件的制作需要低温工艺。

样品器件实现了普通的100MHz的基准,ADT公司CTO John Carlisle表示,采用本技术的MEMS振荡器在几年后有望实现3GHz的频率基准。

市场调研机构Gartner预测,石英晶振的年市场需求大约为10亿美元。SiTime Corp.已经开始提供MEMS振荡器芯片产品,该产品与石英晶体振荡器相兼容。

相关链接(英文):
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=192201243

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来源:SEMI 作者: 时间:2006/8/1 0:00:00
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