据EE Times网站报道，硅晶元代工专家X-Fab Semiconductor Foundries AG近期宣布，开发出一项新的0.6微米的基于槽形隔离技术的CMOS工艺。

该公司表示，此项技术——XT06将主要面向于汽车电子、光学以及其他相关领域。XT06技术将使功率控制电路、智能电动机控制电路和D级的音频放大器电路中的混频信号的设计成为可能。

XT06的“自由电势”设计可以让设计者通过沟槽隔离各个区域，然后向每个区域添加不同的电压。基于一个5V的CMOS核心，XT06与X-Fab的XC06的模块混频技术是兼容的。使得MOS晶体管的击穿电压达到110V。

相关链接（英文）：
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=188501215