来自IBM和佐治亚技术学院的一个研究小组展示了运行频率超过500GHz的异质结SiGe（硅锗）双极晶体管。该研究小组表示，尽管这一结果是用液态氦将晶体管冷却到4.5K（-451°F）获得的，但同样的器件在室温条件下可工作于350GHz，而且晶体管若经优化可接近太赫的室温速率。

　　IBM在200mm晶圆上利用第四代硅锗工艺和传统的、未进行优化的掩模组在一个原型上制造了这种测试器件。速度记录显示，硅锗可能超出科学家在当前理论条件下认定的性能极限;该小组的下一个任务将是解释其性能比预期更好的物理机制。