国际整流器公司推出新款控制及同步开关芯片组，用于驱动新一代Intel及AMD处理器的高频直流-直流转换器，适用于高端先进服务器和台式计算机。该芯片组也可用于电信及数据通信系统的负载点直流-直流转换。

这款二合一芯片组若用于开关频率为每相750kHz的四相1 U (1.75英吋高) VRM系统，可在90A下达到84.5% 的效率;若用于开关频率为每相400kHz的八相内嵌式VRD10.2设计，则可在150A下达到87% 的效率。

第一款器件是单片式IRF6691 DirectFETKY，它把一个肖特基二极管和一个同步MOSFET整合于单一封装内。若采用相同的控制场效应管，该器件在全负载状态及每相1MHz频率下，效率比市场上其他20V同步场效应管改善达1.1%。

IRF6691在10VGS下的典型导通电阻 (RDS(on)) 为1.2 m (在4.5VGS下为1.8 m )，典型Qrr为26nC。它不仅能提供良好的热性能，而且反向恢复损耗更低，也可减少整体元件数目。

第二款器件是IRF6617 DirectFET HEXFET控制MOSFET，它是为控制场效应管开关而订制，整体栅电荷 (Qg为11nC) 较低。与旧款30V器件相比，它能在4.5VGS下把导通电阻与栅电荷乘积降低33%至87m -nC。

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