据中国半导体设备及材料网网站报道，三星电子公司近期发布了一种新型闪存芯片，这种新内存可更快的储存新数据，从而使数码设备工作的更快。

新产品属于非易失性阶段变化随机读取内存(PRAM)，即在电子设备关闭时仍能保存数据。新产品比现行普通闪存快30倍以上，三星公司表示，新内存有望在2008年上市。

当前电子设备广泛使用的非易失性闪存有NOR和NAND两种：NOR闪存适合直接运行软件，但是它速度较慢，而且制造价格昂贵;NAND闪存容易大规模制造，更适合大容量文件储存，如MP3音乐文件等。

PRAM闪存芯片采用垂直二极管和三维晶体管结构，以便使体积更小，三星称，与NOR和NAND芯片不同的是，PRAM闪存不需要在储存新数据前擦除旧数据。

近期在首尔召开的新闻发布会上，三星公司展示了512MB容量的原型PRAM芯片的同时，还展示了采用精细40nm工艺制造的32GB容量的NAND闪存芯片。