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瑞萨扩展与力晶加强闪存器件领域的合作
内容导读:

  瑞萨科技(Renesas Technology)日前与力晶半导体宣布,两家公司已签署一项制造协议和一项技术及销售授权协议。两项协议均适用于瑞萨的4Gb AG-AND闪存器件。

  新的协议建立在两家公司之间在1Gb存储器件领域的现有合作关系之上,扩展了瑞萨与Powerchip之间的商业合作范围。这一进展将通过进一步增加AND闪存资源为用户提供更多的便利。

       据了解,瑞萨将通过重新调整战略焦点产品如系统级大规模集成电路(LSI)来加速资源的选择和集中管理。除了其目前的两条300mm晶圆生产线12A/12B外,BPSC正在将设备转向其新近采用的Fab 12M晶圆生产线,以便生产出高密度闪存,这也将进一步巩固PSC满足快速增长的闪存市场的能力。

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来源:半导体国际 作者: 时间:2006/6/12 0:00:00
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