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三星量产80纳米1G芯片大容量廉价内存见光
内容导读:
三星宣布将大量生产80纳米 1GB的DDR2内存芯片。当前1GB 内存芯片的生产工艺为90纳米,尺寸约为11x18 毫米。

  三星宣布将大量生产80纳米 1GB的DDR2内存芯片。当前1GB 内存芯片的生产工艺为90纳米,尺寸约为11x18 毫米。

  新的80纳米1GB内存芯片的尺寸为11x11.5 毫米,其物理封装尺寸与512M的90纳米芯片相当。

  此外,这种尺寸更小的80纳米1GB 内存芯片生产成本更低,这样也会降低整个2GB 和4GB 的DDR2芯片成本。

  对于内存需求的增长,三星预计“今年全球DRAM市场的市值将达到287 亿美元,并预测到2008年上升到378 亿美元。当前1Gb 的DRAM占据了整个市场份额的8%,但预计到2008年将占到全部DRAM的36%。”

  现在还不清楚,厂家从生产内存到发布80nm 1GB内存组装部件,到底需要多长时间,但在微软发布Windows Vista 操作系统之前,对该内存的需求不会太高。

  三星在今年早些时候提到谈到,操作系统变化所将带来的内存需求的增加。
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来源:互联网 作者: 时间:2006/9/1 0:00:00
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