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 FQL40N50技术资料FQL40N50原装现货 [原创]
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FQL40N50 一般描述 
这些N通道增强型功率场效应 
晶体管是利用飞兆半导体专有的， 
平面条形，DMOS技术。 
这种先进的技术已特别针对 
尽量减少对电阻，提供优越的开关 
性能，经受住了高能量脉冲 
雪崩和减刑模式。这些设备和 
适合高效率开关模式电源，电源 
因数校正，电机驱动器和焊接机。
FQL40N50 特征
•第40A，500V及的RDS（on）= @ VGS电压= 100.11ΩV 
•低栅极电荷（典型值155北卡罗莱纳州） 
•低顾客订位系统（典型值95公积金） 
•快速切换
•100％雪崩测试
•改进的dv / dt的能力
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发表时间:2009年10月27日10:38:42