sumzi007 

 [原创]  N沟 2SK3561 原装正品行货

TOSHIBA Field Effect Transistor  Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) 
2SK3561
2SK3561.pdf

Switching Regulator Applications 
 
Low drain-source ON resistance: R  = 0.75 (typ.) 
DS (ON)  High forward transfer admittance: |Y | = 6.5S (typ.) 
fs
 = 100 A (V  = 500 V)   Low leakage current: I
DSS DS
 = 2.0~4.0 V (V  = 10 V, I  = 1 mA)   Enhancement mode: V
th DS D
属性 值 条件 
型号  2SK3561   
极性  N沟   
漏源电压VDSS  500 V   
漏电流ID  8 A   
漏功耗PD  40 W   
门电荷总数Qg (nC) (标准)  28   
漏源导通电阻RDS(ON) (最大) @VGS=10V  0.85 Ω   
封装  TO-220SIS   
产品分类  功率MOSFET (N沟 250V  <VDSS≦500V) 
2SK3561 型号
TOSHIBA 品牌系列产品 2SK3561 
2SK3561 批号 07+
2SK3561 数量 20000
2SK3561 封装 TO-220F
2SK3561 包装 500PCS/BOX
2SK3561 备注 In stock/ New original packing/ Rohs
2SK3561 PDF技术资料

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发表时间:2009年7月24日16:39:53